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1G频率源

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产品详情

产品特性
● 低相噪恒温晶振直接倍频实现;
● 低相位噪声,超高稳定度,低老化率;
● 常用频率500MHz 、1000MHz, 其他频率可选;
● 应用于时钟、基站、测量仪器设备、频率综合器、军事通信设备。

技术指标

参数名称

数据参考

频率

1000MHz

电源

12V

功耗

≤500mA稳态≤300mA

年老化

≤±0.1ppm(加电30天后测试)

频率温度稳定度

≤±0.02ppm/-10℃~+60℃

输出形式

正弦波≥7dBm/500

谐波抑制

≤-30dBc

杂波抑制

≤-60dBc

相位噪声

≤-135dBc/Hz@1KHz ≤-146dBc/Hz@10KHz

微调/电调

电调整≥±1ppm/0~12V

质量等级

工业级

工作温度

-40℃~+70℃

存储温度

-55℃~+85℃

封装

07U8(70×50.8×21.5)mm


南宫28,南宫28官网个: 微封装系列

下一个: 2G锁相源

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